CSD19536KTTT 与 IPB025N08N3 G 区别
| 型号 | CSD19536KTTT | IPB025N08N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-CSD19536KTTT | A-IPB025N08N3 G |
| 制造商 | TI | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK | 系列:OptiMOS™ |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.5mΩ |
| 上升时间 | - | 73ns |
| 漏源极电压Vds | - | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 300W |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 86ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | DDPAK/TO-263-3 | PG-TO263-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 120A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 长度 | - | 10mm |
| 下降时间 | - | 33ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 28ns |
| 高度 | - | 4.4mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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CSD19536KTTT | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
DDPAK/TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IPB025N08N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TO263-3 80V 120A 2.5mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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CSD19536KTT | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
DDPAK/TO-263-3 |
暂无价格 | 44 | 对比 |
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CSD19536KTT | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
DDPAK/TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPB020N10N5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 120A 1.7mΩ 20V 375W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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